{:en}Intel Accelerates Process and Packaging Innovations{:}{:ar}إنتل تسرّع عجلة الابتكار لعمليات تجميع وتغليف المكوّنات الإلكترونية وشرائح المعالجات{:}


Intel Accelerates Process and Packaging Innovations

 Annual cadence of innovations drives leadership

from silicon to system.


  • Roadmap of process and packaging innovations to power next wave of products through 2025 and beyond
  • Two breakthrough process technologies: RibbonFET, Intel’s first new transistor architecture in more than a decade, and PowerVia, an industry-first for backside power delivery
  • Continued leadership in advanced 3D packaging innovations with Foveros Omni and Foveros Direct
  • New node naming to create consistent framework, more accurate view of process nodes for customers and the industry as Intel enters the angstrom era of semiconductors
  • Strong momentum for Intel Foundry Services (IFS) with first customer announcements.

SANTA CLARA, Calif., July 27, 2021 – Intel Corporation today revealed one of the most detailed process and packaging technology roadmaps the company has ever provided, showcasing a series of foundational innovations that will power products through 2025 and beyond. In addition to announcing RibbonFET, its first new transistor architecture in more than a decade, and PowerVia, an industry-first new backside power delivery method, the company highlighted its planned swift adoption of next-generation extreme ultraviolet lithography (EUV), referred to as High Numerical Aperture (High NA) EUV. Intel is positioned to receive the first High NA EUV production tool in the industry.

“Building on Intel’s unquestioned leadership in advanced packaging, we are accelerating our innovation roadmap to ensure we are on a clear path to process performance leadership by 2025,” Intel CEO Pat Gelsinger said during the global “Intel Accelerated” webcast. “We are leveraging our unparalleled pipeline of innovation to deliver technology advances from the transistor up to the system level. Until the periodic table is exhausted, we will be relentless in our pursuit of Moore’s Law and our path to innovate with the magic of silicon.”

The industry has long recognized that traditional nanometer-based process node naming stopped matching the actual gate-length metric in 1997. Today, Intel introduced a new naming structure for its process nodes, creating a clear and consistent framework to give customers a more accurate view of process nodes across the industry. This clarity is more important than ever with the launch of Intel Foundry Services. “The innovations unveiled today will not only enable Intel’s product roadmap; they will also be critical for our foundry customers,” Gelsinger said. “The interest in IFS has been strong and I’m thrilled that today we announced our first two major customers. IFS is off to the races!”{:en}Intel Accelerates Process and Packaging Innovations{:}{:ar}إنتل تسرّع عجلة الابتكار لعمليات تجميع وتغليف المكوّنات الإلكترونية وشرائح المعالجات{:}

Intel technologists described the following roadmap with the new node names and the innovations enabling each node:

  • Intel 7 delivers an approximately 10% to 15% performance-per-watt increase versus Intel 10nm SuperFin, based on FinFET transistor optimizations. Intel 7 will be featured in products such as Alder Lake for client in 2021 and Sapphire Rapids for the data center, which is expected to be in production in the first quarter of 2022.
  • Intel 4 fully embraces EUV lithography to print incredibly small features using ultra-short wavelength light. With an approximately 20% performance-per-watt increase, along with area improvements, Intel 4 will be ready for production in the second half of 2022 for products shipping in 2023, including Meteor Lake for client and Granite Rapids for the data center.
  • Intel 3 leverages further FinFET optimizations and increased EUV to deliver an approximately 18% performance-per-watt increase over Intel 4, along with additional area improvements. Intel 3 will be ready to begin manufacturing products in the second half of 2023.
  • Intel 20A ushers in the angstrom era with two breakthrough technologies, RibbonFET and PowerVia. RibbonFET, Intel’s implementation of a gate-all-around transistor, will be the company’s first new transistor architecture since it pioneered FinFET in 2011. The technology delivers faster transistor switching speeds while achieving the same drive current as multiple fins in a smaller footprint. PowerVia is Intel’s unique industry-first implementation of backside power delivery, optimizing signal transmission by eliminating the need for power routing on the front side of the wafer. Intel 20A is expected to ramp in 2024. The company is also excited about the opportunity to partner with Qualcomm using its Intel 20A process technology.
  • 2025 and Beyond: Beyond Intel 20A, Intel 18A is already in development for early 2025 with refinements to RibbonFET that will deliver another major jump in transistor performance. Intel is also working to define, build and deploy next –generation High NA EUV, and expects to receive the first production tool in the industry. Intel is partnering closely with ASML to assure the success of this industry breakthrough beyond current generation of EUV.

“Intel has a long history of foundational process innovations that have propelled the industry forward by leaps and bounds,” said Dr. Ann Kelleher, senior vice president and general manager of Technology Development. “We led the transition to strained silicon at 90nm, to high-k metal gates at 45nm and to FinFET at 22nm. Intel 20A will be another watershed moment in process technology with two groundbreaking innovations: RibbonFET and PowerVia.”

With Intel’s new IDM 2.0 strategy, packaging is becoming even more important to realizing the benefits of Moore’s Law. Intel announced that AWS will be the first customer to use IFS packaging solutions, while also providing the following insights into the company’s industry-leading advanced packaging roadmap:

  • EMIB continues to lead the industry as the first 2.5D embedded bridge solution, with products shipping since 2017. Sapphire Rapids will be the first Xeon datacenter product to ship in volume with EMIB (embedded multi-die interconnect bridge). It will also be the first dual-reticle-sized device in the industry, delivering nearly the same performance as a monolithic design. Beyond Sapphire Rapids, the next generation of EMIB will move from a 55 micron bump pitch to 45 microns.
  • Foveros leverages wafer-level packaging capabilities to provide a first-of-its-kind 3D stacking solution. Meteor Lake will be the second-generation implementation of Foveros in a client product and features a bump pitch of 36 microns, tiles spanning multiple technology nodes and a thermal design power range from 5 to 125W.
  • Foveros Omni ushers in the next generation of Foveros technology by providing unbounded flexibility with performance 3D stacking technology for die-to-die interconnect and modular designs. Foveros Omni allows die disaggregation, mixing multiple top die tiles with multiple base tiles across mixed fab nodes and is expected to be ready for volume manufacturing in 2023.
  • Foveros Direct moves to direct copper-to-copper bonding for low-resistance interconnects and blurs the boundary between where the wafer ends and where the package begins. Foveros Direct enables sub-10 micron bump pitches providing an order of magnitude increase in the interconnect density for 3D stacking, opening new concepts for functional die partitioning that were previously unachievable. Foveros Direct is complementary to Foveros Omni and is also expected to be ready in 2023.

The breakthroughs discussed today were primarily developed at Intel’s facilities in Oregon and Arizona, cementing the company’s role as the only leading-edge player with both research and development and manufacturing in the U.S. Additionally, the innovations draw on close collaboration with an ecosystem of partners in both the U.S. and Europe. Deep partnerships are key to bringing foundational innovations from the lab to high-volume manufacturing, and Intel is committed to partnering with governments to strengthen supply chains and drive economic and national security.

About Intel

Intel (Nasdaq: INTC) is an industry leader, creating world-changing technology that enables global progress and enriches lives. Inspired by Moore’s Law, we continuously work to advance the design and manufacturing of semiconductors to help address our customers’ greatest challenges. By embedding intelligence in the cloud, network, edge and every kind of computing device, we unleash the potential of data to transform business and society for the better. To learn more about Intel’s innovations, go to newsroom.intel.com and intel.com.

Forward-Looking Statements

This press release contains forward-looking statements relating to Intel’s future plans and expectations, including with respect to Intel’s process and packaging technology roadmaps and schedules; innovation cadence; future technology and products and the expected benefits and availability of such technology and products, including PowerVia, RibbonFET, Foveros Omni, and Foveros Direct technologies, future process nodes, and other technologies and products; technology parity and leadership; future use, benefits, and availability of EUV and other manufacturing tools; expectations regarding suppliers, partners, and customers; Intel’s strategy; manufacturing plans; manufacturing expansion and investment plans; and plans and goals related to Intel’s foundry business. Such statements involve a number of risks and uncertainties. Words such as “anticipates,” “expects,” “intends,” “goals,” “plans,” “believes,” “seeks,” “estimates,” “continues,” “may,” “will,” “would,” “should,” “could,” “strategy,” “progress,” “accelerate,” “path,” “on-track,” “roadmap,” “pipeline,” “cadence,” “momentum,” “positioned,” “committed,” and “deliver” and variations of such words and similar expressions are intended to identify forward-looking statements. Statements that refer to or are based on estimates, forecasts, projections, and uncertain events or assumptions also identify forward-looking statements. Such statements are based on management’s current expectations and involve many risks and uncertainties that could cause actual results to differ materially from those expressed or implied in these forward-looking statements. Important factors that could cause actual results to differ materially from the company’s expectations include, among others, Intel’s failure to realize the anticipated benefits of its strategy and plans; changes in plans due to business, economic, or other factors; actions taken by competitors, including changes in competitor technology roadmaps; changes impacting our projections regarding our technology or competing technology; delays in development or implementation of our future manufacturing technologies or failures to realize the anticipated benefits of such technologies, including expected improvements in performance and other factors; delays or changes in the design or introduction of future products; changes in customer needs or plans; changes in technology trends; our ability to rapidly respond to technological developments; delays, changes in plans, or other disruptions involving manufacturing tool and other suppliers; and other factors set forth in Intel’s reports filed or furnished with the Securities and Exchange Commission (SEC), including Intel’s most recent reports on Form 10-K and Form 10-Q, available at Intel’s investor relations website at www.intc.com and the SEC’s website at www.sec.gov. Intel does not undertake, and expressly disclaims any duty, to update any statement made in this press release, whether as a result of new information, new developments or otherwise, except to the extent that disclosure may be required by law.

All product and service plans, roadmaps, and performance figures are subject to change without notice. Process performance parity and leadership expectations are based on performance-per-watt projections. Future node performance and other metrics, including power and density, are projections and are inherently uncertain.

© Intel Corporation. Intel, the Intel logo and other Intel marks are trademarks of Intel Corporation or its subsidiaries. Other names and brands may be claimed as the property of others.

{:}{:ar} شركة إنتل

إنتل تسرّع عجلة الابتكار لعمليات تجميع وتغليف المكوّنات الإلكترونية وشرائح المعالجات

الابتكارات السنوية المتنامية للشركة تدعم الانتقال من تقنيات السيليكون إلى عمليات تطوير النظم

أبرز نقاط الخبر الصحفي

  • إنتل تقدّم خارطة طريق لتقنيات العمليات وتغليف وتجميع المكونات لدعم الموجة التالية من المنتجات حتى عام 2025 وما بعده
  • الشركة تطرح تقنيتين جديدتين هما: تكنولوجيا ترانزستور تأثير المجال RibbonFET التي تمثّل أول بنية جديدة كلياً من نوعها من إنتل وتكنولوجيا PowerVia التي تعد أول طريقة في القطاع للتوصيل الخلفي للطاقة
  • إنتل تواصل ريادتها في مجال ابتكارات التغليف والتجميع المتقدمة وثلاثية الأبعاد مع طرح تقنيتي Foveros Omni وFoveros Direct
  • الشركة تقدم إطار عمل واضح ومتسق لتسمية عقد العمليات ما يمنح العملاء رؤية واضحة وأكثر دقة حول الموضوع في القطاع بالتوازي مع مضي إنتل في مرحلة من الأطوال الموجية بوحدة أنجستروم لأشباه الموصلات
  • خدمات وحدة إنتل فاوندري سيرفيسز تكتسب زخماً كبيراً في السوق مع الإعلان عن أول العملاء الحاصلين عن الخدمة

27 يوليو 2021: كشفت شركة إنتل اليوم عن واحدة من خُططها المتكاملة والأكثر تفصيلاً لتقنيات العمليات وتغليف وتجميع المكونات الإلكترونية، في خطوة تُمهد لتقديم سلسلة ابتكارات رئيسية ستدعم عمليات تطوير المنتجات حتى عام 2025 وما بعده. وتتضمن الخطة تقديم تكنولوجيا ترانزستور تأثير المجال RibbonFET التي تمثل أول بنية رائدة وجديدة كلياً من نوعها تقدمها إنتل بعد حوالي عشر سنوات، وتكنولوجيا PowerVia وهي أول طريقة جديدة في القطاع للتوصيل الخلفي للطاقة. كما سلّطت إنتل الضوء على نهجها الهادف لتسريع اعتماد الجيل الجديد من تقنيات الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة EUV والمعروفة بخاصية الفتحة العددية العالية High NA. ويؤكد ذلك قدرة الشركة على توفير أول أداة إنتاجية بتقنية الأشعة فوق البنفسجية الشديدة وخاصية الفتحة العددية العالية في القطاع.

وتعليقاً على هذا الموضوع، قال بات غيلسنجر، الرئيس التنفيذي لشركة إنتل، خلال ندوة إنتل أكسيلريتد الافتراضية: “نطمح لتسريع تطبيق خطتنا الخاصة بالابتكار لنمضي في المسار الصحيح للارتقاء بمعايير الأداء بحلول عام 2025، مرتكزين بذلك على مكانة إنتل الرائدة في مجال تقنيات التغليف المتقدمة للمكوّنات الإلكترونية. ونسعى في هذا الإطار لتسخير محفظة ابتكاراتنا منقطعة النظير بهدف تقديم أحدث تقنيات الترانزستور على مستوى الأنظمة. وسنبذل قصارى جهدنا لتحقيق أهداف قانون مور بالاستفادة من تقنيات السيليكون المبتكرة”.

وأضاف: “أدرك القطاع منذ فترة طويلة أن تسمية وتوصيف عقد العمليات التقليدية القائمة على النانومتر قد انتهى منذ عام 1997 وإجراء المُطابقة مع مقاييس الطول الفعلي لبوابات التوصيل. وتُقدم إنتل اليوم بنية جديدة لتسمية عقد العمليات الخاصة بها، ما سيُمهد لإطار عملٍ واضح ومُتسق يمنح العملاء رؤية واضحة وأكثر دقة حول هذا الموضوع في القطاع. وتحمل هذه الرؤية الواضحة أهمية كبيرة أكثر من أي وقتٍ مضى، خاصة بعد الإعلان عن إطلاق وحدة أعمال إنتل فاوندري سيرفيسز. وأضاف غيلسنجر بهذا الصدد: “ستُسهم الابتكارات التي تمّ الكشف عنها اليوم في دعم خارطة الطريق الخاصة بمنتجات إنتل، كما ستحمل خدمات المسبك أهمية كبيرة لعملائنا. وحظيت وحدة إنتل فاوندري سيرفيسز باهتمام مُلفت، ويُسعدنا جداً الإعلان اليوم عن عميلين رئيسيين للوحدة التي بدأت فعلياً مسيرتها الريادية في القطاع”.{:en}Intel Accelerates Process and Packaging Innovations{:}{:ar}إنتل تسرّع عجلة الابتكار لعمليات تجميع وتغليف المكوّنات الإلكترونية وشرائح المعالجات{:}

وقدّم خبراء التكنولوجيا لدى إنتل خارطة الطريق التالية التي تحدد أسماء المعالجات الجديدة إضافة إلى الابتكارات التي تدعم كل معالج:

  • يضمن معالج Intel 7 تحسين الأداء بنسبة تتراوح تقريباً بين 10-15% لكل واط، مقارنة مع أداء تقنية الترانزستور SuperFin المصنعة برتبة 10 نانومتر، وذلك استناداً إلى تحسينات تقنية الترانزستورات FinFET. وستقدّم الشركة معالج Intel 7 إلى العملاء خلال عام 2021 مع مجموعة منتجات أخرى مثل معالجات Alder Lake ومجموعة معالجات Sapphire Rapids المخصصة لمراكز البيانات، والتي من المتوقع إنتاجها بحلول الربع الأول لعام 2022.
  • يعتمد معالج Intel 4 على تقنية الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة، التي تُتيح تقديم مزايا دقيقة للغاية باستخدام الموجات الضوئية ذات الطول الموجي القصير للغاية. ويضمن مُعالج Intel 4 زيادة الأداء لكل واط بنسبة 20% تقريباً كما يتضمّن تحسينات جديدة كلياً؛ وستبدأ عمليات إنتاج المعالج بحلول النصف الثاني من عام 2022؛ حيث يشمل ذلك المنتجات التي سيتم شحنها خلال عام 2023، ومنها معالجاتMeteor Lake للعملاء ومعالجات Granite Rapids المخصصة لمراكز البيانات.
  • يعتمد معالج Intel 3 على التحسينات الإضافية لتقنية الترانزستورات FinFET، إضافة إلى رفع مستوى الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة EUV، لزيادة الأداء بنسبة 18% تقريباً لكل واط مقارنة بمعالج Intel 4، فضلاً عن تضمين تحسينات إضافية جديدة. وستتوفر معالجات Intel 3 للاستخدام مع عمليات تصنيع المنتجات خلال النصف الثاني لعام 2023.
  • يمهد معالج Intel 20A لمرحلة من الأطوال الموجيّة بوحدة أنجستروم وظهور تقنيتين متقدمتين، هما تكنولوجيا ترانزستور تأثير المجال RibbonFET وتكنولوجيا PowerVia. وتعكس تقنية RibbonFET نهج إنتل لاستخدام الترانزستورات الشاملة لمختلف البوابات الدقيقة، كما أنها أول بنية ترانزستور جديدة للشركة منذ تقديمها لتقنية الترانزستورات FinFET عام 2011. وتوفر هذه التقنية سرعات تبديل أكبر بين الترانزستورات مع ضمان نفس قوة التيار وإضافة وحدات التبريد المتعددة في مساحة أصغر. من جهة ثانية، تمثل تكنولوجيا PowerVia أول عملية فريدة في القطاع من إنتل للتوصيل الخلفي للطاقة، ما سيساعد في تحسين نقل الإشارة عبر استبعاد الحاجة لتوجيه الطاقة إلى الجانب الأمامي لرقاقة المعالج. ومن المتوقع ازدياد مُعدل استخدام معالجات Intel 20A بحلول عام 2024. كما وتتطلع الشركة لفرص الشراكة مع كوالكوم والتي ستستخدم تقنية معالجات Intel 20A
  • حتى عام 2025 وما بعده: إلى جانب معالجات Intel 20A، تستمرّ حالياً عمليات تطوير معالج Intel 18A التي ستُقدم بحلول عام 2025، وستتضمّن تحسينات تشمل تكنولوجيا ترانزستور تأثير المجال RibbonFET التي ستُحقق قفزة نوعية جديدة على صعيد أداء الترانزستورات. كما تعمل إنتل على تحديد وتطوير ونشر الجيل الجديد من تقنيات الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة EUV مع خاصية الفتحة العددية العالية High NA، وسط توقعات بأن تنجح إنتل في تقديم أول أداة إنتاجية من نوعها في القطاع بالاعتماد على تلك التقنية. وتتعاون إنتل بشكل وثيق مع شركة إيه إس إم إل المُختصة بتصنيع أشباه الموصلات، بهدف ضمان نجاح هذه الابتكارات الجديدة والرائدة في القطاع، بما يتخطّى الجيل الحالي من تقنيات الطباعة بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة.

بدورها قالت الدكتورة آن كيليهر، نائبة الرئيس الأولى والمديرة العامة لقسم التطوير التكنولوجي لدى شركة إنتل: “تتمتع إنتل بتاريخ حافل بابتكارات العمليات، والتي لطالما أسهمت بالارتقاء بآفاق القطاع نحو مستويات جديدة كلياً. وقد نجحنا في قيادة الانتقال من تقنيات السيليكون المُنقى برتبة 90 نانومتر، والاعتماد على البوابات المعدنية الثابتة وعالية العزل برتبة 45 نانومتر وتحسينات تقنية الترانزستورات FinFET برتبة 22 نانومتر. وتُمثل معالجات Intel 20A إنجازاً بارزاً على صعيد تقنيات المعالجة القائمة على ابتكارين رائدين هما: تكنولوجيا ترانزستور تأثير المجال RibbonFET وتكنولوجيا PowerVia للتوصيل الخلفي للطاقة”

Intel’s new RibbonFET technology, the company’s implementation of a gate-all-around transistor, is displayed as part of the “Intel Accelerated” event on July 26, 2021. At the event, Intel presented the company’s future process and packaging technology roadmaps. (Credit: Intel Corporation)

وتماشياً مع استراتيجية إنتل المطورة لتصنيع الأجهزة المتكاملة IDM 2.0، أصبحت عمليات تغليف المكونات الإلكترونية أكثر أهمية لتحقيق المنافع المرجوّة من قانون مور. وأعلنت إنتل أن أمازون ويب سيرفيسز ستكون أول عميل لحلول التغليف إنتل فاوندري سيرفيسز إضافة إلى تقديم الرؤى التالية في خارطة طريق إنتل الخاصة بعمليات التغليف المتقدمة والرائدة في القطاع:

  • تواصل تكنولوجيا التوصيل المدمج متعدد القوالب EMIB ريادتها في القطاع كأول حلقة توصيل مدمجة وفق أبعاد 2.5، علماً أن عام 2017 شهد بداية شحن المنتجات القائمة على تلك التكنولوجيا. وستكون معالجات Sapphire Rapids أول منتجات Xeon المخصصة لمراكز البيانات، والتي تشحن بكميات كبيرة وتتضمن تكنولوجيا التوصيل المدمج متعدد القوالب EMIB. كما ستمثل هذه المعالجات أول منتج مزدوج الحجم في القطاع يقدّم نفس أداء التصميم الأحادي تقريباً. وإضافة إلى معالجات Sapphire Rapids، ستنتقل تكنولوجيا التوصيل المدمج متعدد القوالب EMIB من رتبة 55 ميكرون إلى 45 ميكرون.
  • توظّف تقنية التجميع Foveros أفضل إمكانات التغليف لشرائح المعالجات، ما يوفر حل تجميع مثالي وثلاثي الأبعاد يعد الأول من نوعه في القطاع. وتمثل معالجات Meteor Lake الجيل الجديد الذي سيعتمد على تقنية التجميع Foveros ضمن مجموعة من المنتجات المخصصة للعملاء برُتبة 36 ميكرون وامتداد على عقد تقنية متعددة ونطاق للطاقة بتصميم حراري يتراوح بين 5-125 واط.
  • تُمهد تقنية Foveros Omni لاعتماد الجيل الجديد من تقنية التجميع Foveros، عبر ضمان مرونة غير محدودة مع إمكانات التجميع ثلاثية الأبعاد لضمان التوصيل البيني وتوفير التصاميم المعيارية. كما تتيح هذه التقنية إجراء عملية الفصل، ومزج عدة مكونات مع رقائق أساسية عبر عُقد متنوعة. ومن المتوقع أن تتوفر هذه التقنية لعمليات التصنيع الضخمة بحلول عام 2023.
  • تُمهد تقنية Foveros Direct للانتقال إلى أساليب الربط المباشر بالنحاس لضمان عمليات توصيلٍ بيني منخفض المقاومة، ما يضمن إلغاء المسافة والحدود بين نقطة انتهاء الرقاقة ونقطة بداية الحزمة. وتدعم هذه التقنية نطاق تصميم أقل من 10 ميكرون، ما يوفر زيادة كبيرة في كثافة التوصيل البيني والاستفادة من إمكانات التجميع ثلاثية الأبعاد، الأمر الذي يقدّم مفاهيم جديدة لعمليات التقسيم الوظيفية للقوالب، وهو ما كان من الصعب تحقيقه سابقاً. وتمثل تقنية Foveros Direct مُكملاً داعماً لتكنولوجيا Foveros Omni، ومن المتوقع أن تتوفر للاستخدام في عمليات التصنيع بحلول عام 2023.

وطوّرت الابتكارات التي تمّ الكشف عنها اليوم بشكل رئيسي في المرافق التابعة لشركة إنتل بولايتي أوريغون وأريزونا، ما يُعزز دور الشركة كلاعبٍ رائد ووحيد على مستوى البحوث وعمليات التطوير والتصنيع في الولايات المتحدة الأمريكية. إلى جانب ذلك، ارتكزت الابتكارات الجديدة على التعاون الوثيق مع منظومة عمل الشركاء في الولايات المتحدة وأوروبا. وتلعب الشراكات العميقة دوراً أساسياً في نقل الابتكارات الهامة من بيئات المختبرات إلى عمليات التصنيع الضخمة، وتلتزم إنتل بمواصلة شراكتها المثمرة مع الحكومات لتعزيز سلاسل التوريد وتعزيز الأمن الاقتصادي والوطني.

واختتمت إنتل ندوتها الافتراضية بتقديم تفاصيل إضافية حول فعالية إنتل إنوفيشن للابتكار، التي ستُعقد في مدينة سان فرانسيسكو وعبر الإنترنت يومي 27-28 أكتوبر 2021. يتوفر مزيد المعلومات عبر الرابط الإلكتروني للفعالية.

لمزيد من المعلومات حول خارطة طريق وتقنيات شركة إنتل الجديدة لتسمية العقد، يُرجى الاطلاع على ورقة الحقائق الخاصة بالعمليات. لمشاهدة الإعادة الخاصة بالندوة الافتراضية التي عُقدت اليوم، يُمكن زيارة صفحة أخبار إنتل أو الموقع الرسمي لعلاقات المستثمرين الخاص بشركة إنتل.

لمحة عن شركة إنتل

تسهم شركة إنتل، المدرجة في بورصة ناسداك تحت الرمز (INTC)، والرائدة في قطاع أشباه الموصلات، بشكل فاعل في بلورة مستقبل قائم على البيانات من خلال تقنيات الأتمتة والاتصالات التي تشكل الأساس التي تقوم عليه الابتكارات حول العالم. فضلاً عن مساهمتها في تأمين وتمكين وتوصيل مليارات الأجهزة، والبنية التحتية للعالم الذكي والمتصل، بدءاً من السحابة ومروراً بالشبكات ووصولاً إلى الأجهزة الطرفية وجميع الأجهزة البينية الأخرى.

البيانات التطلعيّة:

البيانات الواردة في هذا الخبر الصحفي، والتي تشير إلى خطط وتوقعات مستقبلية، بما في ذلك خرائط الطريق وجداول عمليات وتقنيات التغليف من إنتل؛ وتيرة الابتكار والمنتجات والتقنيات المستقبلية والفوائد المتوقعة وتوافر هذه التكنولوجيا والمنتجات، بما يشمل تقنيات PowerVia وRibbonFET وFoveros Omni وFoveros Direct وعُقد المعالجات المستقبلية وغيرها من التقنيات والمنتجات؛ التكافؤ التكنولوجي والريادة؛ الاستخدام المستقبلي ومنافع وتوافر تقنيات الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة EUV؛ وأدوات التصنيع الأخرى؛ التوقعات المتعلقة بالموردين والشركاء والعملاء؛ استراتيجية إنتل؛ خطط التصنيع؛ التوسع بالتصنيع وخطط الاستثمار؛ والخطط والأهداف المتعلقة بوحدة أعمال إنتل فاوندري. وتحتوي هذه البيانات التطلعيّة على عدد من المخاطر والشكوك. ولتحديد مثل هذه البيانات التطلعيّة، تم استخدام كلمات مثل “تتوقع”، “تتطلع”، “تعتزم”، “تهدف”، “تخطط”، “تعتقد”، “تسعى”، “تخمّن”، “تستأنف”، “قد”، “سوف”، “ربما”، “ينبغي”، “يمكن”، “الاستراتيجية”، “التقدم الذي تم إحرازه”، “المسار”، “الرؤية”، “الطريق”، “الصيغة”، “تسرّع”، و”تلتزم” وغيرها من مرادفات هذه الكلمات والتعابير. وتتحدد البيانات التطلّعية بالبيانات التي تشير أو تستند إلى التقديرات والتكهنات والتوقعات والأحداث أو الافتراضات غير المؤكدة. وتستند هذه البيانات التطلّعية على التوقعات الحالية للإدارة، وترتبط بعدد من المخاطر والشكوك التي قد تؤدي إلى اختلاف النتائج الفعلية مادياً عن تلك التي تم التعبير عنها بشكل صريح أو ضمني، في هذه البيانات التطلّعية. تتمثل العوامل الهامة التي قد تؤدي إلى اختلاف النتائج الحقيقية مادياً عن توقعات الشركة في إخفاق إنتل بتحقيق الفوائد المتوقعة من استراتيجيتها وخططها؛ تغييرات في الخطط بسبب الأعمال التجارية أو الاقتصادية أو عوامل أخرى؛ إجراءات من قبل المنافسين، بما فيها تغييرات في مخططات تكنولوجيا المنافس؛ تغييرات تؤثر على توقعاتنا المرتبطة بتقنياتنا أو التقنية المنافسة؛ التأخير في عمليات تطوير أو تنفيذ تقنيات التصنيع المستقبلية أو الفشل في تحقيق الفوائد المتوقعة من مثل هذه التقنيات، بما فيها التحسينات المتوقعة في الأداء وعوامل أخرى؛ التأخير والتغييرات في التصميم أو تقديم منتجات مستقبلية؛ تغييرات في احتياجات أو خطط العملاء؛ تغييرات في اتجاهات التكنولوجيا؛ قدرتنا على الاستجابة السريعة للتطورات التقنية؛ التأخر، التغييرات في الخطط، أو مشاكل أخرى مرتبطة بأدوات التصنيع والموردين الآخرين؛ وغيرها من العوامل المنصوص عليها في التقارير التي قدمتها إنتل لهيئة الأوراق المالية والبورصات الأمريكية، بما في ذلك أحدث تقارير الشركة وفق الصيغتين 10-K و10-Q.

تخضع جميع خطط الخدمات والمخططات ومقاييس الأداء للتغيير دون أي إشعار مسبق. يستند التكافؤ في أداء العمليات وتوقعات الريادة إلى توقعات الأداء لكل واط. وتعتبر التوقعات المتعلقة بالمعالجات المستقبلية والمقاييس الأخرى، بما يشمل القوة والكثافة، بمثابة توقعات غير مؤكدة بطبيعتها.

© Intel Corporation تعدّ إنتل وشعارها وغيرها من أسماء وشعارات إنتل علامات تجارية مملوكة من قبل شركة إنتل أو الشركات التابعة لها. قد تكون الأسماء والعلامات الأخرى مملوكة من قبل جهات أخرى.{:}